IBM e Samsung revelam inovação em semicondutores
Arquitetura de dispositivo vertical demonstra o caminho para o ajuste de escala além da nanofolha e visa permitir redução de energia de 85% em comparação com os transistores finFET escalonados.
A IBM e a Samsung Electronics anunciaram, de forma conjunta, um avanço no design de semicondutores usando uma nova arquitetura de transistor vertical.
Esta novidade demonstra um caminho para escalar além da nanofolha e tem o potencial de reduzir o uso de energia em 85%, em comparação com o efeito de campo das aletas transistores (finFETs, em inglês).
A escassez global de semicondutores destacou o papel crítico do investimento em pesquisa e desenvolvimento de chips e sua importância em tudo, desde computação, eletrodomésticos, dispositivos de comunicação, sistemas de transporte e até mesmo infraestrutura crítica.
A pesquisa de desenvolvimento de semicondutores das duas empresas foi produzida no Albany NanoTech Complex, em Albany (NY), onde cientistas pesquisadores trabalham em estreita colaboração com parceiros do setor público e privado para expandir os limites do escalonamento lógico e das capacidades dos semicondutores.
Esta abordagem colaborativa para a inovação torna o Albany NanoTech Complex um ecossistema “líder mundial para pesquisa de semicondutores e cria um forte canal de inovação, ajudando a atender às demandas de manufatura e acelerar o crescimento da indústria global de chips”, segundo se lê em comunicado.
A inovação do novo transistor vertical pode ajudar a indústria de semicondutores “a continuar sua jornada implacável para entregar aprimoramentos significativos”.
“O anúncio da tecnologia de hoje é sobre como desafiar as convenções e repensar como continuamos a promover a sociedade e fornecer inovações que melhoram a vida, os negócios e reduzem nosso impacto ambiental”, disse o Mukesh Khare, vice-presidente, Hybrid Cloud & Systems, IBM Research.
