Fabrican una memoria Flash más duradera a base de grafeno y disulfuro de molibdeno
El prototipo desarrollado por investigadores en Suiza aguanta 120 ciclos de lectura/escritura y tiene capacidad para guardar el 30% de la información original durante una década.
Durante los últimos años se han ido descubriendo una serie de materiales con un sólo átomo de espesor que están siendo utilizados para avanzar en el desarrollo de la informática como, por ejemplo, el todopoderoso grafeno y el disulfuro de molibedno.
Ambos materiales han sido ahora combinados por un grupo de investigadores de la École Polytechnique Fédérale de Lausana, Suiza, junto con algunos componentes más tradicionales para fabricar una novedosa memoria Flash.
Esto significa que se ha aprovechado la alta conductividad del grafeno y las propiedades semiconductoras del disulfuro de molibdeno.
Aunque la investigación todavía se encuentra en una fase preliminar y no se ha alcanzado la delgadez más extrema del prototipo, el intercambio entre ambos materiales evidencia propiedades prometedores
Por ejemplo, se ha probado la posibilidad de almacenar más de un bit por dispositivo y se ha testado la capacidad de conservar su estado a muy largo plazo. Al dejar la memoria sin alimentación durante un tiempo, los científicos apenas observaron perjuicio en el almacenamiento, hasta tal punto que se podría conservar el 30% de la carga original hasta 10 años después.
El proceso de aplicación de tensión eléctrica e inversión a través del electrodo de control para escritura y borrado fue aplicado un total de 120 ciclos, tras lo cual el dispositivo seguía funcionando, tal y como explica Ars Technica.
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