Comienza la producción en masa de memorias DDR4 de Samsung
Dirigidas a “servidores empresariales y centros de datos de próxima generación”, estas memorias están siendo fabricadas con proceso de 20 nanómetros.
Ha pasado un año desde la última vez que hablamos de la memoria DDR4 de Samsung, pero la firma surcoreana ha seguido con el plan que había trazado y ya ha comenzado la producción en masa de este nuevo (y esperado) producto.
¿Su principal característica? Basarse en el proceso de fabricación de 20 nanómetros, en vez de los 30 nanómetros de las DRAM convencionales.
Además, con este desarrollo se subirá de los módulos de 8 GB a los de 16 GB y 32 GB, con la intención de incorporarlos en “servidores empresariales y centros de datos de próxima generación” más eficientes a nivel económico y de consumo.
“Este año, la adopción de DDR4 con ultra-alta velocidad en sistemas de servidor de próxima generación comenzará a impulsar [el uso de] las memorias premium avanzadas en todas la compañías”, apunta Young-Hyun Jun, vicepresidente ejecutivo de ventas y marketing para memorias de Samsung Electronics.
La firma surcoreana también se encuentra inmersa en la producción de su memoria DRAM LPDDR3 de bajo consumo para dispositivos móviles con tecnología de 20 nanómetros y de la primera memoria Flash NAND tridimensional con estructura vertical de la industria.
