Un grupo de científicos que trabajan para CSIRO (Commonwealth Scientific and Industrial Research Organisation) y el Royal Melbourne Institute of Technology, ambos en Australia, han conseguido mejorar las capacidades de carga electrónica del grafeno.
Para llegar a tal punto y crear hojas de unos 11 nanómetros de grosor, que luego se convirtieron en un material semiconductor a partir del cual fabricar transistores, se empleó una técnica de exfoliación.
El resultado es un dispositivo con una movilidad de electrones de 1.100 centímetros cuadrados por voltio-segundo, lo cual excede al estándar actual para el silicio.
Otro de los investigadores implicados, el profesor Kourosh Kalantar-Zadeh, comenta que este material se puede utilizar para crear dispositivos que sean más pequeños y compatibles con una veloz transferencia de datos.
“Si bien aún queda mucho trabajo por hacer antes de que podamos desarrollar gadgets reales utilizando este nuevo nano-material en 2D, este avance sienta las bases para una nueva revolución de la electrónica y esperamos seguir explorando su potencial”, ha añadido.
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