La combinación de grafeno y molibdeno abre las puertas a la electrónica de alta velocidad

Un grupo de científicos que trabajan para CSIRO (Commonwealth Scientific and Industrial Research Organisation) y el Royal Melbourne Institute of Technology, ambos en Australia, han conseguido mejorar las capacidades de carga electrónica del grafeno.

¿Cómo? Usando una serie de óxidos de molibdeno. Y, más concretamente, con la creación de nano-capas gracias a las cuales “los electrones son capaces de comprimirse con una dispersión mínima”, tal y como explica el Dr. Serge Zhuiykov de la organización CSIRO.

Para llegar a tal punto y crear hojas de unos 11 nanómetros de grosor, que luego se convirtieron en un material semiconductor a partir del cual fabricar transistores, se empleó una técnica de exfoliación.

El resultado es un dispositivo con una movilidad de electrones de 1.100 centímetros cuadrados por voltio-segundo, lo cual excede al estándar actual para el silicio.

Otro de los investigadores implicados, el profesor Kourosh Kalantar-Zadeh, comenta que este material se puede utilizar para crear dispositivos que sean más pequeños y compatibles con una veloz transferencia de datos.

“Si bien aún queda mucho trabajo por hacer antes de que podamos desarrollar gadgets reales utilizando este nuevo nano-material en 2D, este avance sienta las bases para una nueva revolución de la electrónica y esperamos seguir explorando su potencial”, ha añadido.