Nueva memoria de Samsung de 64 GBytes construida en 10 nanómetros

Durante el próximo año comenzaremos a ver los primeros dispositivos móviles con capacidades de 64 GBytes en chips construidos mediante un proceso de 10 nanómetros. Será posible gracias a la última generación de memorias eMMC (Embedded Multimedia Card) NAND Flash desarrolladas por el fabricante Samsung, que pretenden mejorar el rendimiento a la hora de transferir información en torno al 30% con respecto a la generación anterior basada en 20 nanómetros.

Además, el tamaño del chip también se reduce un 20%, ya que tan sólo ocupará 11,5×13 milímetros (poco más de un centímetro cuadrado albergando 64 GBytes de capacidad).

Se trata de los chips eMMC Pro Class 2000, compatibles con el interfaz eMMC 4.5. Esta especificación ofrece una velocidad aleatoria de escritura de 2.000 IOPS y de lectura de 5.000 IOPS. En el lado de los procesos secuenciales arroja unas cifras teóricas de 50 MB/s y 260 MB/s en escritura y escritura respectivamente. Samsung asegura que, si se comparan con el rendimiento de una tarjeta de memoria externa de clase 10, estos chips son 10 veces más rápidos.

“Las actuales aplicaciones móviles muestran una clara tendencia hacia diseños más finos y pantallas más grandes, así como procesadores multi-núcleo y memoria de alta densidad. Los nuevos chips se adaptan a la perfección a estos factores”, declara Samsung en el comunicado.